 |
新聞資訊 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
防爆手電筒的放光原理發(fā)布時間:2022/1/28 瀏覽次數(shù):655 |
防爆手電筒發(fā)光二極管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化鎵）、GaP（磷化鎵）、GaAsP（磷砷化鎵）等半導(dǎo)體制成的，其核心是PN結(jié)。因此它具有一般P-N結(jié)的I-N特性，即正導(dǎo)游通，反向截止、擊穿特性。
此外，在一定條件下，它還具有發(fā)光特性。在正向電壓下，電子由N區(qū)注入P區(qū)，空穴由P區(qū)注入N區(qū)。進入對方區(qū)域的少量載流子（少子）一部分與多數(shù)載流子（多子）復(fù)合而發(fā)光。
假定發(fā)光是在P區(qū)中發(fā)生的，那么注入的電子與價帶空穴直接復(fù)合而發(fā)光，或者先被發(fā)光中心捕獲后，再與空穴復(fù)合發(fā)光。除了這種發(fā)光復(fù)合外，還有些電子被非發(fā)光中心（這個中心介于導(dǎo)帶、介帶中心鄰近）捕獲，然后再與空穴復(fù)合，每次開釋的能量不大，不能構(gòu)成可見光。發(fā)光的復(fù)合量相對于非發(fā)光復(fù)合量的比例越大，光量子效率越高。由于復(fù)合是在少子擴散區(qū)內(nèi)發(fā)光的，所以光僅在接近PN結(jié)面數(shù)μm以內(nèi)產(chǎn)生。
|
|
|
|
|
